井上 薫 | 松下電子工業(株)電子総合研究所
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概要
関連著者
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井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
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井上 薫
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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西井 勝則
松下電器
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松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
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西井 勝則
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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松野 年伸
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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正戸 宏幸
松下電器
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
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西辻 充
松下電子工業
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池田 義人
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
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吉田 隆幸
松下電器 半導体研究センター
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吉田 隆幸
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吉田 隆幸
松下電器産業(株)半導体研究センター
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上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
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高橋 和晃
松下電器産業株式会社ブロードバンドコミュニケーション開発センター
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松下技研(株)
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松下電器産業 先端技研
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高橋 和晃
松下技研 移動体通信研
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松下電子工業(株)電子総合研究所
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太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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川島 克彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
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酒井 啓之
松下電子工業(株)電子総合研究所
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川島 克彦
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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藤本 和久
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
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太田 順道
松下電子工業 半導体デバイス研セ
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高橋 和晃
松下電器産業株式会社
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吉田 隆幸
松下電器産業(株)
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吉田 隆幸
松下電器産業
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藤田 卓
松下電器産業株式会社
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高橋 和晃
松下電器産業(株)ネットワーク開発センター
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佐川 守一
松下電器産業株式会社
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池田 義人
松下電器産業
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藤田 卓
松下電機産業(株)AV&CC開発センター
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高橋 和晃
松下電機産業(株)AV&CC開発センター
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佐川 守一
松下電機産業(株)AV&CC開発センター
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酒井 啓之
松下電機産業(株)半導体研究センター
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井上 薫
松下電機産業(株)半導体研究センター
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吉田 隆幸
松下電機産業(株)半導体研究センター
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田邊 充
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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田村 彰良
松下電子工業(株)電子総合研究所
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森本 滋
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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正戸 宏幸
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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宇田 智哉
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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藤田 卓
松下技研(株)
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高橋 和晃
松下技研(株)
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西井 勝則
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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柳原 学
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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森川 治
松下電機産業(株)半導体研究センター
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宇田 智哉
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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田中 毅
松下電子工業 電子総研
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井上 薫
松下電器
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横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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横山 隆弘
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
著作論文
- 自己整合プロセスを用いた単一電源動作パワーHFET
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- STOキャパシタを内蔵した0.5〜5.3GHz広帯域アンプMMICの試作
- ノーマリオフ型セルフアライメント構造PJ-HFET
- SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- BCB誘電体を用いた低損失ミリ波フリップチップIC
- MBB実装を用いたKa帯ミキサIC
- AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果型トランジスタの高耐圧化技術
- 選択酸化分離を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ
- SC-7-7 窒化物系電子デバイスの応用と展望
- 高周波AlGaN/GaNヘテロ構造FET
- 高周波AlGaN/GaNヘテロ構造FET
- SC-5-7 SiC基板上AlGaN/GaN HFETの高周波特性
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- UVリソグラフィーを用いたサブクォーターミクロンゲート AlGaAs/InGaAs HEMT
- BCB誘電体膜を用いた低損失ミリ波フリップチップIC
- フリップチップ実装を用いたミリ波帯ICの開発 (特集 高速信号実装技術)
- フリップチップを用いたミリ波帯ICの開発
- MBB実装を用いたK帯MFIC増幅器
- フリップチップボンディングを用いた新しいミリ波IC「MFIC」の基礎検討