池田 義人 | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西井 勝則
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
-
池田 義人
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
西井 勝則
松下電器
-
松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
正戸 宏幸
松下電器
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
著作論文
- 選択酸化分離を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ
- SC-7-7 窒化物系電子デバイスの応用と展望
- 高周波AlGaN/GaNヘテロ構造FET
- 高周波AlGaN/GaNヘテロ構造FET
- SC-5-7 SiC基板上AlGaN/GaN HFETの高周波特性
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス