正戸 宏幸 | 松下電子工業(株)電子総合研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 松下電子工業(株)電子総合研究所の論文著者

関連著者

• 正戸 宏幸

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 池田 義人

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 正戸 宏幸

  松下電器

• 井上 薫

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 井上 薫

  松下電子工業(株) 電子総合研究所

• 松野 年伸

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 西井 勝則

  松下電器

• 松野 年伸

  松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター

• 太田 順道

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 正戸 宏幸

  松下電器産業株式会社半導体研究センター

• 川島 克彦

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 西井 勝則

  松下電子工業株式会社 電子総合研究所

• 川島 克彦

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 池田 義人

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 松野 年伸

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 西辻 充

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 西辻 充

  松下電子工業

• 井上 薫

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 太田 順道

  松下電子工業 半導体デバイス研セ

• 池田 義人

  松下電器産業

• 藤本 和久

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 西辻 充

  松下電器産業半導体研究センター

• 藤本 和久

  パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター

• 上田 大助

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 上田 大助

  松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部

• 西井 勝則

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 前田 昌宏

  松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター

• 森本 滋

  松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 西井 勝則

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 中村 守雄

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 修

  松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部

• 石川 修

  松下電器(株) アナログlsi事業部

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 田村 彰良

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 石川 修

  松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 森本 滋

  松下電器産業株式会社半導体研究センター

• 前田 昌宏

  松下電器産業株式会社半導体研究センター

• 藤本 裕雅

  松下電器産業株式会社半導体研究センター

• 中村 守雄

  松下電器産業株式会社半導体研究センター

• 太田 順道

  松下電器産業株式会社半導体研究センター

• 工藤 義春

  松下通信工業(株)

• 高田 正人

  (株)松下通信金沢研究所

• 工藤 義春

  松下通信工業株式会社大阪開発センター

• 吉田 隆幸

  松下電子工業株式会社

• 西井 勝則

  松下電子半導体デバイス研究センター

• 池田 義人

  松下電子半導体デバイス研究センター

• 正戸 宏幸

  松下電子半導体デバイス研究センター

• 松野 年伸

  松下電子半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電子半導体デバイス研究センター

• 山崎 正純

  松下通信工業(株)技術本部

• 藤本 裕雅

  松下電子工業株式会社 電子総合研究所

• 石川 修

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 吉田 隆幸

  松下電子工業(株)生産技術センター

• 井上 薫

  松下電器

• 藤本 裕雅

  松下電器産業(株)半導体研究センター

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著作論文

• 自己整合プロセスを用いた単一電源動作パワーHFET
• 1.5GHz6.5V/1WディジタルMCA携帯端末用パワーモジュール
• イオン注入GaAsMESFETの歪特性とデュアルモードパワーモジュールの試作
• STOキャパシタ内蔵0.4〜7GHzトランスインピーダンスアンプIC
• 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
• STOキャパシタを内蔵した0.5〜5.3GHz広帯域アンプMMICの試作
• PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
• 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
• 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
• SC-6-2 熱酸化プロセスのAlGaN/GaN系ヘテロ接合FETへの応用
• PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系ヘテロ構造FET
• 熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系ヘテロ構造FET
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• AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果型トランジスタの高耐圧化技術
• 選択酸化分離を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ
• ナイトライド系半導体の電子デバイス展開(半導体エレクトロニクス)
• SC-7-7 窒化物系電子デバイスの応用と展望
• 高周波AlGaN/GaNヘテロ構造FET
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• SC-5-7 SiC基板上AlGaN/GaN HFETの高周波特性
• 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
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• フリップチップ実装を用いたK帯電力増幅器の試作
• Undoped GaAs キャップ層を用いた高耐圧イオン注入 GaAs MESFET

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