AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果型トランジスタの高耐圧化技術
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概要
著者
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
正戸 宏幸
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
西井 勝則
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
西井 勝則
松下電器
-
松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器
-
正戸 宏幸
松下電器
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池田 義人
松下電器産業
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