選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
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概要
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前段、後段に選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe Hetero-bipolar transistor(HBT)から構成されるパワーアンプの検討を行ったので報告する。高Gainを達成するために、前段側には選択コレクタイオン注入を採用しており、一方、後段側は高耐圧を達成するために、選択コレクタイオン注入を用いない構造とした。1.95GHzで出力電力(Pout)26dBmで、効率31%、Gain28dBの良好な特性が得られた。また、W-CDMA変調波での評価結果、隣接チャネル漏洩電力比Adjacent channel power ratio(ACPR)は、-38dBc以下であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
神田 敦彦
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
-
神田 敦彦
松下電器産業
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