チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• Kバンドを利用した衛星通信、加入者系無線アクセスシステム応用として、チップサイズパッケージ(CSP)を用いて全整合回路とバイアス回路を内蔵した広帯域増幅器MMICを開発した。CSPに対しては異方性導電フィルム(ACF)を用いることにより、MMICのCSP工程の簡略化と低コスト化を実現した。MMIC上にバイアス回路素子を集積化するために高誘電率材料STO(SrTiO_3)キャパシタを層間絶縁膜に用いることにより、MMICの小型化を図った。CSPサイズは2×3mm^2と小型である。CSPを用いたMMICは広帯域(12-24 GHz)で良好な高周波特性を示した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-06-25

著者

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 尹 榮

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 勝野 元成

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 皆川 克也

  松下電器産業(株) 半導体社 高周波半導体開発センター

• 信定 俊英

  松下電器産業(株) 半導体社 高周波半導体開発センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社

• 尹 榮

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 勝野 元成

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ

• 西嶋 将明

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

関連論文

• GaNナチュラルスーパージャンクション ダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード
• C-10-16 擬似スーパージャンクション構造によるGaN縦型ショットキーバリアダイオードの高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
• Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
• 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
• 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
• 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-2-10 厚膜再配線構造による低損失伝送線路を用いた準ミリ波帯SiGe-MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
• サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
• CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
• ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
• C-10-13 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-11 無極性a面AlGaN/GaNヘテロ接合におけるシートキャリア濃度制御(C-10.電子デバイス,一般講演)
• パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
• 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
• C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
• AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
• チップサイズパッケージを用いた完全集積化MMIC技術
• AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性
• チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
• W-CDMA基地局用200W MODFETパワーデバイス
• W-CDMA基地局用200W MODFET
• ゲート方向によるGaAsパワーFETの温特補償
• ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
• 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
• 補助グランド突起をもつリードフレームによるアイソレーション改善効果
• AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
• C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
• GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
• GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
• ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
• AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
• 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• C-10-14 AlGaN/AlNバッファを用いた高耐圧AlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-19 InAlGaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFETによるオーミックコンタクト抵抗の低減(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-10-10 無極性a面上ノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
• セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ
• [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• SC-6-2 熱酸化プロセスのAlGaN/GaN系ヘテロ接合FETへの応用
• C-10-6 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(C-10.電子デバイス)
• 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-15 セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
• セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ,AWAD2006)
• 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
• チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
• セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
• セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク