SC-6-2 熱酸化プロセスのAlGaN/GaN系ヘテロ接合FETへの応用
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
正戸 宏幸
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電器
-
池田 義人
松下電器産業
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