W-CDMA基地局用200W MODFET
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概要
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飽和出力200Wを実現する基地局用高出力MODFETを開発した。ダブルヘテロ・ダブルドープMODFETにおいて、ゲート・ドレイン間距離を可変することにより耐圧を制御した。ドレイン電流の低下を引き起こす周波数分散を抑制するために埋込ゲート構造とした。作製されたデバイスは、バイアス条件Vds=14V、Idq=10Aにて、飽和出力200W、電力付加効率48.7%を示した。この飽和出力は、これまで報告されているGaAs系FETのなかで最大のものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
-
石田 秀俊
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
古川 秀利
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
前田 昌宏
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
古川 秀利
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
森本 滋
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
太田 順道
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電子工業 電子総研
-
横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
太田 順道
松下電子工業 半導体デバイス研セ
-
横山 隆弘
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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