Cr拡散によるGaAsパワーFETの低歪み化
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概要
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ゲート下の活性層表面に半絶縁性領域(セットバック領域)を導入した低歪みGaAsパワーFETを開発した。このセットバック領域は、ゲート金属として使用するCr, Pt/AuのCrを、デバイス作製プロセス終了後、熱処理を施すことにより活性層に拡散させることにより、セルフアライン的に形成される。開発したFETは、このセットバック層の導入により、表面トラッピング効果の影響を受けにくく、ドレイン電流の周波数分離が従来のFETに比べ小さく、ゲート幅36mmのFETで950MHzでのPldBは1.5dBの改善がみられた。またπ/4shift QPSK変調における50KHz離調の隣接チャネル漏洩電力は、31.5dBm出力時で従来構造に比べ11dBの改善が確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-11
著者
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
古川 秀利
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
古川 秀利
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
立岡 一樹
松下電子工業電子総合研究所
-
杉村 昭久
松下電子工業電子総合研究所
-
立岡 一樹
松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部
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