GaAsIC用BSTキャパシタの信頼性に及ぼす粒界の影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaAsIC用 BST(チタン酸バリウムストロンチウム)キャパシタの劣化原因について調べた。DLTS解析により、劣化が進行するにつれてシグナルのピークが低温側にシフトすることがわかった。得られたシグナルはBST膜の粒界トラップに起因するものであり、そのエネルギー準位は0.75eVであった。劣化により粒界順位のエネルギーレベルは変化しないが、捕獲断面積が増加することを見出した。また、TDDB測定により、BST膜のグレインサイズが大きいほどキャパシタ寿命が長いことを確認した。以上の結果から、BST膜の粒界がキャパシタの信頼性に大きく影響すると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-11
著者
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
野間 淳史
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
野間 淳史
松下電子工業株式会社電子総合研究所
関連論文
- 大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
- GaAs FETの短チャネル効果を用いた低歪化アッテネータIC
- 2段ゲート長FETによるGaAs可変アッテネータの低歪化
- 単一正電圧制御GaAs RFスイッチIC
- W-CDMA基地局用200W MODFETパワーデバイス
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- ゲート方向によるGaAsパワーFETの温特補償
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
- 補助グランド突起をもつリードフレームによるアイソレーション改善効果
- AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
- 0.18umFeRAM混載システムLSI(新型不揮発性メモリー)
- STOキャパシタ内蔵0.4〜7GHzトランスインピーダンスアンプIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用単一電源パワーMMICの開発
- C-10-3 GSM用高出力DPDTスイッチIC
- Cr拡散によるGaAsパワーFETの低歪み化
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- C-10-7 SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- C-10-5 低温成膜STO容量素子の熱処理特性
- ノーマリオフ型セルフアライメント構造PJ-HFET
- SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- SC-5-7 SiC基板上AlGaN/GaN HFETの高周波特性
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- アクティブバラン内蔵GaAsシングルバランスドミキサー
- アクティブバラン内蔵シングルバランスドミキサー
- 位相シフト法によるGaAsFETの微細ゲート形成
- 位相シフト露光法による0.15μmT字型ゲートGaAs MODFETの形成
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- スパイクゲート構造による高効率低歪みGaAsパワーFET
- 1.5V動作高効率GaAsスパイクゲートパワーFET
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 新エッジ構造によるBSTキャパシタの特性改善
- GaAsIC用BSTキャパシタの信頼性に及ぼす粒界の影響
- 強誘電体キャパシタにおける分極減衰・ヒステリシス歪曲の温度依存性
- 強誘電体キャパシタにおける分極減衰・ヒステリシス歪曲の温度依存性