ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
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概要
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我々はGaAsFETのドレイン電流やしきい値電圧の温度依存性がチップに加わるストレスによって誘起されるピエゾ電荷に強く依存することを見出した。この電荷によりFETのチャネルのキャリア分布が変化し、ドレイン電流やしきい値電圧の温度変化が発生する。ピエゾ電荷を誘起するストレスはダイボンド工程にてGaAsチップとチップがマウントされるベース金属との熱膨張率の違いによって発生する。ベース金属がCuの場合チップに残留するストレスを計算すると室温で4E9dyn/cm2となり、このストレスの温度変化がピエゾ電荷を変化させ温特の原因となっている。ストレスによりGaAs内に発生するピエゾ電荷分布は結晶方向によってコントロールできる。この性質を利用し、ゲート方向の適切な選択によってGaAsパワーFETやそれを用いたパワーアンプの温特を補償することが可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-21
著者
-
石田 秀俊
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
古川 秀利
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
古川 秀利
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電子工業 電子総研
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