Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
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概要
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i層部分に半絶縁性基板を用いたP-Semi-Insulator-N(P-SI-N)ダイオードスイッチを開発した。試作したP-SI-Nダイオード単体は30GHzで0.66dBの低損失の特性を得た。また、P-SI-Nダイオードと電源回路をコプレーナ線路で集積したSPDTスイッチICは、30GHzにおいて、挿入損失1.8dB、アイソレーション35dBという結果を得た。このP-SI-N構造はイオン注入法を用いた容易なプロセス技術で作製できるので低コストである。また、GaAs基板上に平坦に形成できるので、他の能動素子と容易に集積することができる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-11-18
著者
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
岩永 順子
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田邊 充
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
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