強誘電体キャパシタ内蔵GaAs MMIC (移動体通信特集) -- (要素技術)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
- GaAs FETの短チャネル効果を用いた低歪化アッテネータIC
- 2段ゲート長FETによるGaAs可変アッテネータの低歪化
- 単一正電圧制御GaAs RFスイッチIC
- 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
- 補助グランド突起をもつリードフレームによるアイソレーション改善効果
- AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
- PHS用送受信一体型ハイブリッドICの開発
- C-10-3 GSM用高出力DPDTスイッチIC
- 強誘電体キャパシタ内蔵GaAs MMIC (移動体通信特集) -- (要素技術)
- Cr拡散によるGaAsパワーFETの低歪み化
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発