W-CDMA基地局用200W MODFETパワーデバイス
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-07
著者
-
石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
-
石川 修
松下電器(株) アナログlsi事業部
-
石田 秀俊
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
古川 秀利
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
前田 昌宏
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
古川 秀利
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
森本 滋
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
石川 修
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
石川 修
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電子工業 電子総研
関連論文
- GaNナチュラルスーパージャンクション ダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaAs FETの短チャネル効果を用いた低歪化アッテネータIC
- 2段ゲート長FETによるGaAs可変アッテネータの低歪化
- 単一正電圧制御GaAs RFスイッチIC
- サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
- CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- W-CDMA基地局用200W MODFETパワーデバイス
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- ゲート方向によるGaAsパワーFETの温特補償
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
- 補助グランド突起をもつリードフレームによるアイソレーション改善効果
- AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
- 1.5GHz6.5V/1WディジタルMCA携帯端末用パワーモジュール
- 携帯ディジタルMCA用高出力GaAsパワ-モジュ-ル (特集 マルチメディアを支える半導体) -- (デバイス)
- イオン注入GaAsMESFETの歪特性とデュアルモードパワーモジュールの試作
- STOキャパシタ内蔵0.4〜7GHzトランスインピーダンスアンプIC
- GaAs SP8TスイッチICの検討
- PHS用送受信一体型GaAs MMICの検討
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用単一電源パワーMMICの開発
- PHS用高効率パワーMMICの開発
- PHS用送受信一体型ハイブリッドICの開発
- 高効率単一電源GaAsパワーMMIC
- C-10-3 GSM用高出力DPDTスイッチIC
- Cr拡散によるGaAsパワーFETの低歪み化
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- 2-3 相変化光ディスク用高速三値レーザ制御変調方式
- W-CDMA 基地局用2.1GHz GaAs 直接直交変調器 IC
- W-CDMA基地局用2.1GHz GaAs直接直交変調器IC
- 低誘電率膜を用いた0.15μmT型ゲートMODFET
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- C-10-7 SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- C-10-5 低温成膜STO容量素子の熱処理特性
- ノーマリオフ型セルフアライメント構造PJ-HFET
- SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- SC-5-7 SiC基板上AlGaN/GaN HFETの高周波特性
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- アクティブバラン内蔵GaAsシングルバランスドミキサー
- アクティブバラン内蔵シングルバランスドミキサー
- 位相シフト法によるGaAsFETの微細ゲート形成
- 位相シフト露光法による0.15μmT字型ゲートGaAs MODFETの形成
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- フリップチップ実装を用いたK帯電力増幅器の試作
- SiGe-BiCMOSワイドダイナミックレンジ利得切替LNA
- SiGe-BiCMOSワイドダイナミックレンジ利得切替LNA
- 低雑音・低消費電力DBS用ダウンコンバータMMIC
- SiGe-BiCMOSワイドダイナミックレンジ利得切替LNA
- 低雑音・低消費電力DBS用ダウンコンバータMMIC
- SiGe-BiCMOSワイドダイナミックレンジ利得切替LNA
- 低雑音・低消費電力DBS用ダウンコンバータMMIC
- SC-7-1 SiGe-BiCMOS ワイドダイナミックレンジスイッチ切替LNA
- 1.9GHz帯パワーHBT MMIC
- 低歪みGaAs直交変調器IC
- 低歪みGaAs直交変調器ICの検討
- 超小型高効率GaAsパワーアンプ
- デジタル携帯電話用0.2cc MuMIC パワーアンプ
- 低歪みGaAs直交変調器ICの検討
- 低歪みGaAs直交変調器ICの検討
- 移動体通信用 超小型受信フロントエンドHIC
- オンチップ高誘電体キャパシタを用いた移動体通信用超小型フロントエンドHIC
- スパイクゲート構造による高効率低歪みGaAsパワーFET
- 1.5V動作高効率GaAsスパイクゲートパワーFET
- 入力側2次高調波制御による高効率電力増幅器
- AIN基板の放熱特性とパワーMCMへの応用
- 低電圧・高効率GaAsパワーモジュールの最適設計
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 新エッジ構造によるBSTキャパシタの特性改善
- GaAsIC用BSTキャパシタの信頼性に及ぼす粒界の影響
- 移動体通信低電圧GaAsパワーMMICs
- SC-7-6 温特補償バイアス回路を有するW-CDMA用 高効率 HBT MMIC