低歪みGaAs直交変調器ICの検討
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概要
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分周型位相器を内蔵した低歪みGaAs直交変調器を開発した。分周器にはフリップフロップ1/2分周器を利用することにより90°移相を実現し、ミキサにおいては低歪み設計を行った。また高誘電体キャパシタを用いることによりチップ面積の小型化を実現した。試作したICは電源電圧5.0V、キャリヤ周波数600MHzにおいて3次歪みインターセプトポイント (出力)+16dBm、キャリヤ抑圧比<-40dBc、イメージ抑圧比<-40dBc、消費電流70mA、チップサイズ1.2X1.4mm^2の特性を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-21
著者
-
石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
-
今川 保美
(株)松下通信金沢研究所
-
石川 修
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
宇田 智哉
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
-
伊藤 順治
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
佐藤 公彦
松下通信工業(株)コミュニケーションシステム(事)
-
中塚 忠良
松下電子工業
-
伊藤 順治
松下電器産業(株)半導体社 アナログLSI事業部
-
石川 修
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
宇田 智哉
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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