AIN基板の放熱特性とパワーMCMへの応用
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概要
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移動体端末の小型化を実現するためにGaAsパワーモジュールの小型・薄型化が要求されており、それにはパワーFETのチップ実装が有効である。従来、モジュール用プリント基板(AI_2,O_3,PPO)は熱伝導性に乏しく、FETは金属ベースのパッケージに実装後、放熱板上にはんだ付けされていた。この構成では小型化にも限度があり、また組立工程数が多くなるという問題点も有していた。今回我々は、熱伝導性の良好なAINを基板に用いてチップ実装のパワーMCM(Multi Chip Module)を試作し、良好な特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
-
石川 修
松下電器(株) アナログlsi事業部
-
前田 昌宏
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
中村 守雄
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
前田 昌宏
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
藤本 裕雅
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
中村 守雄
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
太田 順道
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
藤本 裕雅
松下電器産業(株)半導体研究センター
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