低電圧・高効率GaAsパワーモジュールの最適設計
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概要
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4.7V動作,900MHz帯アナログ携帯電話用の小形GaAsパワーモジュールを開発した^<(1)>.当パワーモジュールはGaAs FETを用いた2段電力増幅器で,特性は4.7Vの低電圧動作で出力32.2dBm,効率65%,高調波レベル-40dBc以下と高性能である.今回の開発において,(1)4.7V動作の前段,後段GaAsFETのパラメータ抽出,(2)負荷50Ωで出力特性が最適となるFETを前段に用いるモジュールの設計,(3)高調波レベルの抑制とドレーン効率の向上を可能とする高調波調整回路の最適化,をシミュレーションを用いて行い,実測によりその妥当性を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-25
著者
-
石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
-
石川 修
松下電器(株) アナログlsi事業部
-
前田 昌宏
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
前田 昌宏
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
太田 順道
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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