イオン注入GaAsMESFETの歪特性とデュアルモードパワーモジュールの試作
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概要
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デジタル携帯電話用パワーデバイスには低歪特性が望まれるが、一般にアナログ用パワーデバイスには低歪特性が望まれるが、一般にアナログ用パワーデバイスでなされるように高効率を得るため飽和出力に近い非線形領域でFETを動作させると隣接チャネル漏洩電力が増大する。故に、これまで携帯電話用パワーデバイスはアナログ方式とデジタル方式で個別に開発されてきた。今回、新たにイオン注入GaAsMESFETを用いたデュアルモード(アナログ/デジタル方式両用)モジュールを試作し、良好な特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
前田 昌宏
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
森本 滋
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
中村 守雄
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
森本 滋
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
正戸 宏幸
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
前田 昌宏
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
藤本 裕雅
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
中村 守雄
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
太田 順道
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
藤本 裕雅
松下電器産業(株)半導体研究センター
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