3段SPSTを用いた高アイソレーション型RFスイッチMMIC
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概要
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GaAsMESFETを用いたSPDT型RFスイッチは、低消費で電力の特微を活かしてデジタル携帯電話・コードレスホンに広く用いられている。一方、TDMA等の高品位な通信の切り替えを行う基地局等には、高いアイソレーション特性を持ったSPST型RFスイッチ(1)が要望されている。我々は、1チップで高いアイソレーション特性が得られるスイッチを考案し、試作・評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
山本 真司
松下電器産業 半導体社 事業本部ディスクリート事業部
-
藤本 和久
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
藤本 裕雅
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
太田 順道
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
藤本 和久
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
坂倉 真
松下電器産業(株)材料デバイス研究所
-
藤本 和久
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
-
山本 真司
工学院大
-
藤本 裕雅
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
坂倉 真
松下電器産業(株)
-
坂倉 真
松下電器産業 デバイス・エンジニアリング開セ
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