Undoped GaAs キャップ層を用いた高耐圧イオン注入 GaAs MESFET
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概要
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我々は、イオン注入により形成されたチャネル層上にundoped GaAs層を結晶成長させるという新しい高出力GaAs MESFETを開発している。このプロセスでは、undoped GaAs層成長界面が重要である。そこで、MBEとMOCVDの成長界面比較などの検討を行った。DLTS測定より、MBE成長界面にはトラップが存在しているが、MOCVD成長界面にはトラップは存在しないことがわかった。またSIMS測定からも、MOCVD成長界面は、炭素原子濃度が低く良好であることがわかった。MOCVDによりundoped GaAs層を形成した新開発FETは、高いゲート・ドレイン間耐圧を有し、高出力・低歪みという良好な高周波特性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-19
著者
-
田村 彰良
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
川島 克彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
川島 克彦
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
藤本 裕雅
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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