スパイクゲート構造による高効率低歪みGaAsパワーFET
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概要
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スバイクゲート構造により1.5Vで動作する高効率、低歪みGaAsパワーFETを開発した。このスバイクゲート構造は実効ゲート長がきわめて小さいことが特長である。このゲート構造を用いたFETはゲート幅1mmあたりのオン抵抗が1.9Ωと低く、且つ5mSの低ドレイシコシダクタンスを実現している。S-パラメータから求められる1.5V動作下での最高発振周波数(fmax)は30GHz以上あった。このスバイクゲートFETはドレイン電流の周波数分散が従来構造のFETに比べ小さく、表面トラッピング効果の影響に対しても有効な構造と言える。またドレイン電圧1.5Vの下で周波数925MHzのπ/4-shift QPSK変調信号に対し、ゲート幅36mmのスバイクゲートFETは31.0dBm出力時に52%の電力付加効率を示した。50KHz離調の隣接チャネル漏洩電力は、31.0dBm出力時で-51dBcであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
福井 武司
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
古川 秀利
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
古川 秀利
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研
-
福井 武司
松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部
-
上田 哲三
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
田中 毅
松下電子工業 電子総研
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