竹中 浩 | 松下電子工業(株)電子総合研究所
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概要
関連著者
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上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研究所
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上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
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竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研
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古川 秀利
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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古川 秀利
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電子工業 電子総研
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宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
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宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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福井 武司
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
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田村 彰良
松下電子工業(株)電子総合研究所
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上田 大助
松下電子工業(株)電子総合研
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西辻 充
松下電子工業
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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福井 武司
松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部
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上田 哲三
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
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立岡 一樹
松下電子工業電子総合研究所
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野間 敦史
松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部
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立岡 一樹
松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部
著作論文
- 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
- 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
- 位相シフト法によるGaAsFETの微細ゲート形成
- 位相シフト露光法による0.15μmT字型ゲートGaAs MODFETの形成
- スパイクゲート構造による高効率低歪みGaAsパワーFET
- 1.5V動作高効率GaAsスパイクゲートパワーFET