川上 養一 | 京都大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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川上 養一
京都大学大学院工学研究科
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
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船戸 充
京都大学大学院工学研究科
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川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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成川 幸男
日亜化学工業
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金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
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船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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中村 修二
日亜化学工業
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中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
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成川 幸男
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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中村 修二
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部
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藤田 静雄
京都大学大学院
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Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科
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橋谷 享
京都大学大学院工学研究科
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
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岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻:科学技術振興機構さきがけ
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岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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中村 修二
日亜化学工業(株)開発部
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向井 孝志
日亜化学工業
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岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科
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藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
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向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
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藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
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長濱 慎一
日亜化学工業(株)第二部門開発本部 窒化物半導体研究所
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小島 一信
京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
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シュワルツ ウルリヒ・T
Department of Physics, Regensburg University
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ブラウン ハラルド
Department of Physics, Regensburg University
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ブラウン ハラルド
Department Of Physics Regensburg University
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シュワルツ ウルリヒ・t
Department Of Physics Regensburg University
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小島 一信
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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Banal Ryan
京都大学大学院工学研究科
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大音 隆男
京都大学大学院工学研究科
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片岡 研
ウシオ電機 固体光源開発室
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長濱 慎一
日亜化学工業(株)第二部門ld技術本部ld開発部
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片岡 研
ウシオ電機固体光源開発室
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長濱 慎一
日亜化学工業(株) 第二部門 開発本部 第三開発部
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島田 順一
京都府立医科大学
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井上 謙一
京都大学大学院工学研究科
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寺嶋 正秀
京都大学大学院理学研究科
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辻村 歩
松下電器産業(株)先端技術研究所
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木戸口 勲
松下電器産業(株)先端技術研究所
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辻村 歩
松下電器産業(株)半導体研究センター
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寺嶋 正秀
京大 大学院
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Bardoux Richard
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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丸月 義一
日亜化学工業株式会社
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泉 知明
京都大学大学院工学研究科電子物性工学
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岡本 晃一
京都大学Venture Business Laboratory
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澤田 憲
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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山口 栄雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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山口 栄雄
神奈川大工:神奈川大hrc
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寺嶋 正秀
京大 大学院理学研究科
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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崔 正灌
京都大学大学院理学研究科
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崔 正権
京都大学大学院理学研究科
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島田 順一
京都府立医大・老化研・病態病理 : 済生会吹田病院・外科第二
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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西塚 幸司
京都大学工学研究科電子工学専攻
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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佐々木 昭夫
大阪電気通信大
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西塚 幸司
大阪電気通信大学大学院工学研究科総合電子工学
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佐々木 昭夫
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
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高 賢哲
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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朴 斗哲
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科
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川上 養一
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- プラズモニクスを利用したLEDの高速・高効率化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 白色発光ダイオードの基礎と応用-固体照明の技術革新に伴う医工連携と産学連携の夜明け-
- 低転位GaNの時間 : 空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 伝搬型および局在型表面プラズモンを利用した高効率発光・受光素子 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
- 伝搬型および局在型表面プラズモンを利用した高効率発光・受光素子(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- InGaNレーザダイオード構造における光ゲイン生成ダイナミクス
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 白色発光素子を用いた外科手術用照明ゴーグルの開発
- CdSe/ZnSe/ZnSSe 単一量子井戸における局在励起子の時間分解発光特性および青緑色発光ダイオードの作製
- GaAs(110)面上への高品質ZnSe系半導体のMBE成長
- ZnSe系量子井戸構造の成長と励起子ダイナミクス
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによる Efficiency droop 機構の解明