電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である.その物理的原因として,p型のホール密度が原理的に低いことなどが指摘されている.そこで,解決が困難なp型に起因する問題を回避し,高出力かつ高効率な深紫外発光を得るために,高品質な高Al組成AlGaN/AlN多重量子井戸の電子線励起を提案し,実証実験を行った.電子銃の条件と量子井戸構造を最適化することにより,波長約240nmにおいて,最大100mwの深紫外光出力と最大40%のパワー効率の達成に成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-11-04
著者
-
船戸 充
京都大学大学院工学研究科
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
Banal Ryan
京都大学大学院工学研究科
-
大音 隆男
京都大学大学院工学研究科
-
片岡 研
ウシオ電機 固体光源開発室
-
片岡 研
ウシオ電機固体光源開発室
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