空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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InGaN単一量子井戸構造(SQW)のefficiency droop現象を解明するために,本研究では,内部量子効率に焦点を絞り,近接場光学顕微鏡(SNOM)を用いた発光(PL)測定,時間分解PL(TRPL)測定を行った.緑色発光InGaN SQWのPL強度マッピングでは,数百nmの島状に分布する発光強度が強い領域と,その周りに分布する弱発光領域が観察された.また,強励起時に強発光領域において,キャリアがプローブ先端の開口の外側へ拡散していることが判明した.加えて,このキャリアの拡散が生じるキャリア密度において,非幅射再結合寿命の高速化や積分発光強度の飽和というefficiency droop現象が観測された.以上のことから,緑色発光InGaN SQWにおけるefficiency droop現象の主要因は,励起光強度が強くなると,強発光領域から弱発光領域へキャリアが拡散し,非幅射再結合するキャリアの割合が増加することに起因すると考えられる.
- 2010-11-04
著者
-
橋谷 享
京都大学大学院工学研究科
-
金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
-
船戸 充
京都大学大学院工学研究科
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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