半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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ELO-GaNテンプレート上のc面InGaN量子井戸(QW)および{11-22}バルクGaN基板上のInGaN QWの近接場発光マッピング測定を30Kにて行った.c面InGaN QWでは,〜100nm程度の島状の発光強度の強い領域が多数分布していた.さらにこのような発光強度の強い領域は長波長領域に対応していた.これは,エネルギー準位の不均一により生じた局所的なポテンシャル極小領域にキャリアが局在し発光しているためと考えられる.一方,{11-22}InGaN QWでは,QW面内での発光強度変化がほとんどなく,さらに各測定点での発光スペクトル形状にほとんど変化が見られなかった.発光半値幅も、約160meVとマクロ発光スペクトルとほぼ同じ値だった.以上のことから,{11-22}InGaN QWの局在中心サイズはc面InGaN QWに比べ小さく,キャリアの面内拡散もほとんどないものと考えられる.
- 2009-11-12
著者
-
船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
-
金田 昭男
京都大学工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学工学研究科
-
金田 昭男
京都大学工学研究科
-
川上 養一
京都大学工学研究科
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