近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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InGaN発光ダイオードにおける,注入キャリア数の増加に対して,光出力が線形に増加しない原因を解明するために,本研究では,横方向選択成長GaNテンプレート上に作製された青色および緑色発光InGaN単一量子井戸において,キャリア密度を変化させた時の発光強度分布の変化について,近接場光学顕微鏡を用いて観測した.その結果,青色発光InGaNでは,発光強度の飽和現象がおきにくいことが分った.一方,緑色発光IhGaNでは,著しい発光強度の飽和現象が見られた.これは,青色発光IhGaNでは,キャリアが局在準位から非局在準位へオーバーフローするものの,非輻射再結合中心の周囲にポテンシャルバリアがあるため,キャリアが非輻射再結合中心に捕らえられにくいためであることが分った.それに対して,緑色発光InGaNでは,高エネルギー準位から低エネルギー準位へとキャリアが拡散し,非輻射再結合するキャリアの割合が増加しているためであることが分った.
- 2009-11-12
著者
-
橋谷 享
京都大学大学院工学研究科
-
金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
-
船戸 充
京都大学大学院工学研究科
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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