CdSe/ZnSe/ZnSSe 単一量子井戸における局在励起子の時間分解発光特性および青緑色発光ダイオードの作製
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概要
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ZnCdSe混晶を量子井戸に取り入れた青緑色半導体レーザの電流注入発振の報告以来、ワイドギャップII-VI族半導体の光物性に焦点を当てた研究が活発に行われてきている。中でも、ZnSe、ZnSをベースとしたII-VI族半導体量子井戸構造は光デバイスへの応用研究だけでなく、光物性の基礎研究の立場から興味が持たれている。特に、レーザ発振機構に関しては、従来からIII-V族において説明されてきた機構とは異なり、励起子が関与しているのではないかと考えられ、とりわけ、混晶を井戸層に取り入れる現在のレーザ構造では、局在励起子の関与も示唆されている。本縞では、励起子の大きな局在効果が期待できるCdSe/ZnSe/ZnSSe歪単一量子井戸構造を用い、時間分解発光特性により得られた局在励起子の高密度励起下でのダイナミクスと青緑色発光ダイオードの作製について報告する。
- 1995-11-24
著者
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
藤田 静雄
京都大学大学院
-
山口 栄雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
山口 栄雄
神奈川大工:神奈川大hrc
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
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