ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦
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概要
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- 2011-01-28
著者
-
平尾 孝
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
平尾 孝
高知工科大 ナノデバイス研
-
Fujita Shiz
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
-
藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
-
Fujita S
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
藤田 静雄
京都大学大学院
-
藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical Engineering Hachinohe Institute Of Technology
-
川原村 敏幸
高知工科大学
-
織田 容征
東芝三菱電機産業システム株式会社
-
白幡 孝洋
東芝三菱電機産業システム株式会社
-
井川 拓人
京都大学大学院 工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 大師
京都大学大学院 工学研究科電子工学専攻
-
吉田 章男
東芝三菱電機産業システム株式会社
-
平尾 孝
高知工科大
-
川原村 敏幸
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
吉田 章男
東芝三菱電機産業システム(株)
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