低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
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概要
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- 2011-01-28
著者
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平松 孝浩
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
松田 時宜
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
古田 守
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
平尾 孝
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
古田 寛
高知工科大学
-
平尾 孝
高知工科大学総合研究所
-
Furuta H
Graduate School Of Science Osaka University
-
Furuta Hiroshi
Department Of Earth And Space Science Osaka University
-
Furuta H
Research Institute For Nanodevices Kochi University Of Technology
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古田 守
高知工科大学
-
松田 時宜
高知工科大学
-
平尾 孝
高知工科大
-
古田 寛
大阪大学・理学部
-
Furuta Hiroshi
Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan
-
古田 守
高知工科大学ナノデバイス研究所
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