Self-Organized Pattern Formation in Porous Silicon Using a Lattice Model with Quantum Confinement Effect
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概要
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A spatial strtrcture of pOIOLlS silicon ['ornaed by anodization xvas sirnulated trsing a lattice modelconsidering the qtrantum confinement effect, Calculation starting f'rorm a randona distrilcution ofnull cells at the surface yielded the final granttlar, colutnnar or flat strrface strttcttrres depending on the uauagnittrde of the anodizing bias voltage in concordance with previously reportedstrtrcttrres. Otrr calculatior'xs strggest that COILIIIIIIOI and dendritic strtrcttrres can be produced indegenerately doped p-type Si xvaf'ers by self'-organization of' nanoxvires with quanttrm confinetaaenteffects.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-07-15
著者
-
古田 寛
高知工科大学
-
Matsuda Tokiyoshi
Graduate School Of Science Osaka University
-
Matsuda T
Graduate School Of Science Osaka University
-
Ikeya Motoji
Department Of Geographical Sciences The University Of Queensland
-
Ikeya Motoji
Graduate School Of Science Osaka University
-
FURUTA Hiroshi
Graduate School of Science,Osaka University
-
YAMANAKA Chihiro
Graduate School of Science,Osaka University
-
Yamanaka Chihiro
Graduate School Of Science Osaka University
-
Furuta H
Graduate School Of Science Osaka University
-
Furuta Hiroshi
Department Of Earth And Space Science Osaka University
-
Ikeya M
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Matsuda Takashi
Graduate School of Science,Osaka University
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