Alg_3薄膜のキャリア伝導
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概要
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ITO, Alq_3/Al構造素子の電気的・光学的特性の測定から、キャリアのエネルギー状態と伝導機構に関する検討を行った。その結果、光電流特性から、Alq_3のエネルギーギャップとして約2.6eV、Al/Alq_3界面での障壁高さが約1.5eVと求められた。電流-電圧特性から、この構造におけるキャリアの伝導機構は、Alq_32薄膜中の深さ約0.7eVのトラップを介したFrenkel-Poole伝導であると考えられた。光吸収特性から求めた吸収端は、光電流特性から求めたエネルギーギャップにほぼ一致したが、ホトルミネセンス特性はエネルギーギャップより短波長側にブロードなピークとして現われ、発光の際に多くの緩和機構が関与していることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-06-21
著者
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
藤田 茂夫
京都大学工学部
-
柳沢 昌輝
京都大学工学部電気工学教室
-
藤森 茂雄
京都大学工学部電気工学教室
-
藤田 静雄
京都大学工学部電気工学教室
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
-
藤田 静雄
京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター
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