III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
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概要
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時間分解フォトルミネッセンス法によりZnCdSe系およびInGaN系量子井戸構造における発光ダイナミクスを測定し、励起子の局在、輻射、非輻射再結合過程を評価した。その結果、これら構造においては量子井戸面内に束縛状態が存在し量子ドット的な領域が自然形成されていることが実験的に明らかにされた。量子ドットの起源として、CdSe量子井戸では界面の凹凸が、InGaN量子井戸ではスピノーダルな相分離によるInリッチ領域の形成が関与しているものと考えられる。これら自己形成量子ドットヘ励起子が局在化することにより、励起子の非輻射再結合中心への捕獲が抑制され、高い発光の量子効率が実現していることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-17
著者
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科
-
成川 幸男
日亜化学工業
-
中村 修二
日亜化学工業
-
中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
-
中村 修二
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
藤田 静雄
京都大学大学院
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
成川 幸男
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
山口 栄雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
-
山口 栄雄
神奈川大工:神奈川大hrc
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科
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