窒化物系青, 緑色LEDと青紫色半導体レーザの進展 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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発光出力3〜5 mWの高出力InGaN単一量子井戸構造青, 緑色発光ダイオード(LED)が開発され, 商品化されている。青, 緑色LEDのInGaN井戸層による吸収ピークエネルギーと発光ピークエネルギー差はそれぞれ290, 570 meVであった。これはLEDあるいはレーザ発光がInGaN井戸層の深い局在準位から生じていることを示している。室温で300時間以上連続発振するInGaN多重量子井戸構造レーザダイオードが開発された。初期特性としては出力50 mW, 動作温度100℃, 特性温度170 K, 発振波長416 nmであった。
- 1998-01-25
著者
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