InGaN SQW 青色 LED の再結合発光におけるホットエレクトロン効果
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概要
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パルス電流印加時におけるInGaN単一量子井戸構造青色LEDの電流注入スペクトルを77Kにおいて測定した。200mA以下の低電流パルス印加時に発光ピークは見かけ上,高エネルギー側にシフトした。この結果をバンドフィリングモデルに基づいて検討した。一方,200mA以上の高電流パルス印加時に発光スペクトルの高エネルギー側に特異な現象が観測され,ホットエレクトロンが寄与していることが示唆された。マクスウェル・ボルツマン分布関数を用いて電子温度に関する理論的な解析を行った。
- 山口大学の論文
著者
-
中村 修二
日亜化学工業
-
藤本 正克
山口県工業技術センター
-
四宮 源市
日亜化学工業
-
中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
-
山田 陽一
電気電子工学科
-
田口 常正
電気電子工学科
-
工藤 広光
大学院電気電子工学
-
藤本 正克
山口県産業技術センター
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