MOCVD 成長 In_xGa_<1-x>N 混晶薄膜のフォトルミネッセンス特性
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概要
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MOCVD法により,GaNバッファー層/サファイア基板上に成長させたアンドープIn_xGa_<1-x>NとSiドープIn_xGa_<1-x>N (x=0.08)混晶薄膜を用いてフォトルミネッセンス測定を行った。低温において,アンドープInGaNでは∿384nm,SiドープInGaNでは∿386nmに強い単一の発光帯が観測された。フォトルミネッセンスの温度依存性の測定により,これらの発光帯は少なくとも2種類の発光成分から構成されていることが分かった。さらに,アンドープ,SiドープInGaN両試料ともに,主ピークの低エネルギー側から表面モードの誘導放出光が観測された。励起パワー密度依存性の測定結果と合わせて,窒化物三元混晶系特有の発光機構について考察する。
- 山口大学の論文
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