InGaN SQW発光ダイオードの混晶活性層のELとPL特性
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概要
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高電流パルス注入時におけるInGaN SQW青色LEDのエレクトロルミネッセンス(EL)測定及び、同LEDのInGaN活性層のフォトルミネッセンス(PL)測定を行った。一方、高電流注入及び強励起下で、2.67eV 青色発光帯の高エネルギー側にホットキャリアに基づくと思われる特異な現象を観測した。無添加InGaNエピタキシャル単結晶薄膜に対して、PLスペクトルの温度依存性の実験を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-09
著者
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