24aB8 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の育成(バルク成長VII)

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概要

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• The pressure controlled solution growth method has been newly developed and applied to the growth of bulk GaN single crystals. Bulk GaN crystals with the size of from 7×7 to 10×10mm^2 could be reproducibly obtained and it wa8 found that they are single crystals oriented to (0001) by X-ray diffraction measurement. From the TEM and PL measurements, they were found to be of good crystallinity.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1999-07-01

著者

• 倉井 聡

  山口大学大学院理工学研究科

• 山田 陽一

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学工学部

• 倉井 聡

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学工学部電気電子工学科

• 関 洋二

  ジャパンエナジー

• 井上 孝行

  (株)ジャパンエナジー精製技術センター

• 関 洋二

  (株)ジャパンエナジー中央研究所

• 小田 修

  (株)ジャパンエナジー中央研究所

• 井上 孝行

  (株)ジャパンエナジー精製技術センター:(現)住友化学工業(株)

• 山田 陽一

  山口大 工

• 小田 修

  名古屋工業大学

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