アンモニアソースMBE法によるGaN成長と結晶性評価 : エピタキシャル成長I

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概要

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• The MBE growth using ammonia gas as a nitrogen source was carried out. Flat Ga-polar surface was obtained by ammonia gas source MBE. Sharp and strong donor-bound exciton and free exciton line were appeared in photoluminescence measurement, indicating high-crystalline quality of GaN grown by arnmonia gas source MBE..

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-07-01

著者

• 倉井 聡

  山口大学大学院理工学研究科

• Chow P

  Svt Associates Mn Usa

• 久保 秀一

  徳島大工

• 田口 常正

  山口大学工学部

• 倉井 聡

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学工学部電気電子工学科

• 久保 秀一

  山口大学工学部

• 岡崎 智一

  山口大学工学部

• Chow Peter

  SVT Associates, Inc.

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