RF-MBE法によるInAlGaN四元混晶薄膜の結晶成長(AlN結晶成長シンポジウム)
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概要
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As an excitation source for phosphors of white LEDs, the thin layers of InAlGaN quaternary alloy was grown using RF-MBE method X-ray diffraction pattern of (0002) face of the layer indicates the phase separation. However luminescence intensity decreases less than the other materials (AlGiN, GaN) according to temperature rise.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
田口 常正
山口大工
-
田口 常正
山口大学大学院理工学研究科
-
倉井 聡
山口大学大学院理工学研究科
-
河野 裕
山口大学工学部電気電子工学科
-
久保 秀一
徳島大工
-
倉井 聡
山口大学工学部
-
倉井 聡
山口大工
-
作田 寛明
山口大学工学部
-
岩田 史郎
山口大学工学部電気電子工学科
-
岸本 祐子
山口大VBL
-
河野 裕
山口大工
-
作田 寛明
山口大工
-
岩田 史郎
山口大工
-
小西 将史
山口大工
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