作田 寛明 | 山口大学工学部

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概要

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• 同名の論文著者
• 山口大学工学部の論文著者

関連著者

• 倉井 聡

  山口大学大学院理工学研究科

• 倉井 聡

  山口大学工学部

• 作田 寛明

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学大学院理工学研究科

• 田口 常正

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学工学部電気電子工学科

• 山中 良友

  山口大学工学部

• 河野 裕

  山口大学工学部電気電子工学科

• 岩田 史郎

  山口大学工学部電気電子工学科

• 田口 常正

  山口大工

• 倉井 聡

  山口大工

• 岸本 祐子

  山口大VBL

• 河野 裕

  山口大工

• 作田 寛明

  山口大工

• 岩田 史郎

  山口大工

• 久保 秀一

  徳島大工

• 小西 将史

  山口大工

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著作論文

• 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• C-6-9 RF-MBE法により成長したInGaN薄膜中のInの熱的挙動(C-6.電子部品・材料)
• 21aYC-2 InAlGaN 四元混晶薄膜の結晶性と発光特性
• RF-MBE法によるInAlGaN四元混晶薄膜の結晶成長(AlN結晶成長シンポジウム)
• 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• RF-MBE法によるInGaN薄膜成長とラザフォード後方散乱法による評価

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