田口 常正 | 山口大学工学部電気電子工学科
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概要
関連著者
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田口 常正
山口大学工学部電気電子工学科
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田口 常正
山口大学工学部
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山口大学工学部
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田口 常正
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山口大 工
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内田 裕士
山口大学工学部
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小橋 克哉
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徳島大工
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吉村 和正
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作田 寛明
山口大学工学部
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山中 良友
山口大学工学部
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河辺 章
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井上 孝行
(株)ジャパンエナジー精製技術センター
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河辺 章
山口大学工学部
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杉田 泰一
山口大学工学部
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杉田 泰一
大学院電気電子工学
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工藤 広光
山口大学工学部
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瀬戸本 龍海
山口大学
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瀬戸本 龍海
(株)山陽ハイテック
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井上 孝行
(株)ジャパンエナジー精製技術センター:(現)住友化学工業(株)
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中村 成志
山口大学工学部
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田口 常正
山口大学 工学部
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渡辺 英史
山口大学工学部電気電子工学科
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只友 一行
山口大学工学部電気電子工学科
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関 洋二
ジャパンエナジー
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森 哲
山口大学工学部
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岩田 史郎
山口大学工学部電気電子工学科
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関 洋二
(株)ジャパンエナジー中央研究所
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小田 修
(株)ジャパンエナジー中央研究所
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岡崎 智一
山口大学工学部
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吉野 正彦
化成オプトニクス
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村上 賢司
山口大学工学部
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渡辺 英史
大学院電気電子工学
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内田 章
大学院電気電子工学
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内田 章
山口大学工学部電気電子工学科
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瀬戸本 龍海
山口大学工学部
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小田 修
名古屋工業大学
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中村 修二
日亜化学工業
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藤本 正克
山口県工業技術センター
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中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
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Chow P
Svt Associates Mn Usa
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岡川 広明
三菱電線工業株式会社
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河野 裕
山口大学工学部電気電子工学科
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金光 義彦
奈良先端大物質
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櫛田 孝司
奈良先端大
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櫛田 孝司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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金光 義彦
奈良先端大物質創成:京大化研
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永井 武彦
奈良先端大学物質創成科学研究科
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山田 誠
三洋電機(株)ソフトエナジー事業本部
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小西 将史
山口大工
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小西 将史
山口大学工学部
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田口 常正
山口大学大学院
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甲斐荘 敬司
ジャパンエナジー精製技術センター
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横畑 彰人
ジャパンエナジー精製技術センター
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只友 一行
三菱電線工業
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甲斐荘 敬司
(株)ジャパンエナジー精製技術センター
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横畑 彰人
(株)ジャパンエナジー精製技術センター
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安藤 剛
山口大学工学部
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田中 重行
山口大学工学部
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真鍋 茂樹
山口大学工学部
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城市 隆秀
三菱電線工業(株)
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山口大学工学部
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内山 裕介
山口大学工学部
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藤本 正克
山口県産業技術センター
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山口大学
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SVT Associates, Inc.
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加藤 宗弘
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岡川 広明
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三菱電線工業株式会社 情報通信フォトニクス研究所
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田村 哲志
山口大学工学部
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原田 光範
スタンレー電気 技研
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山田 誠
三洋電機(株)
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加藤 宗弘
スタンレー電器株式会社
著作論文
- RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善
- 17pRE-16 立方晶CdS薄膜の自由励起子発光とそのダイナミクス
- 126. CdZnS半導体量子井戸の励起子分子による紫外発光((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 22aB8 減圧有機金属気相成長法によるMg_XZn_S混晶薄膜の成長(気相成長II)
- ZnS系量子井戸構造における紫外誘導放出機構の温度依存性
- 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- LED照明の医療分野への応用(LED照明の実際)
- 近紫外発光ダイオｰド(LED)のナノ構造制御による白色LED
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- S-1.どうなる?どうする! : LED光源の効率(どうなる?どうする!LED照明ソフト&ハード)
- 白色LED照明に関する第1回国際会議開催(今日の課題)
- 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- SB-5-4 照明用高効率白色 LED ランプと電源回路の現状と技術動向
- C-6-9 RF-MBE法により成長したInGaN薄膜中のInの熱的挙動(C-6.電子部品・材料)
- RF-MBE法によるバルクGaN単結晶N面上へのGa極性GaN薄膜の成長 : エピキタシャル成長II
- S-3. 紫外LEDを用いた白色LEDの開発
- 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長 : 化合物(21世紀を担うバルク単結晶)
- 24aB8 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の育成(バルク成長VII)
- 22aB9 高品質ZnS薄膜のホモエピタキシャル成長(気相成長II)
- RF-MBE法によるGaN薄膜のヘテロおよびホモエピタキシャル成長
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 146. In_xGa_N紫外LEDとZnS-,Y-,Sr-系蛍光体を用いた白色LEDの発光特性((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 139. In_xGa_N紫外LED励起によるY,Sr,ZnS系白色蛍光体の発光特性((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 139.集積化LED光源の配光特性((9)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 151. 太陽光発電を用いた省エネ型LEDサインパネルの開発((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 149. LEDの装飾用光源への応用((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 148. 高輝度白色LEDを用いた一般照明用光源の評価((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善
- 137. LED 照明に最適な多面光源と放射輝度分布
- 54.有色多点光源計算を用いた3波長LEDの照明特性((4)照明理論)
- 57. LED光源の近傍距離での光度の理論的考察((4)照明理論)
- 47. 多点光源照度計算法を用いた白色LED照明器具設計((4)証明理論)
- 近紫外発光デバイスの応用
- 21世紀のあかりプロジェクトと白色発光ダイオード光源の開発^*
- LED光源
- 青色半導体レーザー小特集号の発行にあたって
- ZnS系量子井戸構造における紫外誘導放出機構の温度依存性
- InGaN SQW発光ダイオードの混晶活性層のELとPL特性
- InGaN SQW発光ダイオードの混晶活性層のELとPL特性
- InGaN青色LEDの発光機構
- アンモニアソースMBE法によるGaN成長と結晶性評価 : エピタキシャル成長I
- LEDディスプレイ(ディスプレイ用光源及びデバイスの最新技術)
- 白色発光ダイオードの開発と照明光源への応用
- 白色LED照明技術による"21世紀のあかり"国家プロジェクト
- 白色発光ダイオードによる次世代照明技術
- 白色LEDによる21世紀のあかり (中国支部特集号)
- 化合物半導体
- GaN系発光ダイオードの発光メカニズム(東京支部特集号)
- II-VI族化合物半導体の物性と青色発光素子
- 150. 白色LEDを用いた省エネ型太陽電池式街灯の開発((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 140. 白色LEDを用いた太陽発電照明システムの開発((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 123. InGaN白色LEDの照明への応用((8)光関連デバイス・ディスプレイ)