RF-MBE法によるバルクGaN単結晶N面上へのGa極性GaN薄膜の成長 : エピキタシャル成長II

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概要

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• The growth of GaN epilayers on the N-face of pressure-controlled solution growth (PC-SG) bulk GaN single crystals has been performed by RF-MBE. As a result, it is found that GaN epilayers grown on the N-face using In-doped GaN buffer layers have Ga-polarity. This result suggests that In-doping has the role of reversing the polarity of the GaN epilayers from N- to Ga-polarity.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2002-07-01

著者

• 倉井 聡

  山口大学大学院理工学研究科

• 久保 秀一

  徳島大工

• 田口 常正

  山口大学工学部

• 倉井 聡

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学工学部電気電子工学科

• 岩田 史郎

  山口大学工学部電気電子工学科

• 小西 将史

  山口大工

• 久保 秀一

  山口大学工学部

• 小西 将史

  山口大学工学部

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