RF-MBE法によるGaNバルク単結晶基板上へのホモエピタキシャル成長と多重量子井戸構造の作製 : エピキタシャル成長II

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概要

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• GaN, AlGaN epilayers and GaN/Al_<0.15>Ga_<0.85>N multiple quantum wells (MQWs) were grown on GaN single crystals by molecular beam epitaxy. Low temperature photoluminescence spectra of the GaN/Al_<0.15>Ga_<0.85>N MQW exhibited intense QW-related emission peaks. The variation of QW transition energy versus the well thickness (from 2 ML to 18 ML: 1 ML=2.59Å) indicates the presence of built-in electric field in the wurtzite GaN/ Al_<0.15>Ga_<0.85>N heterostructure.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2002-07-01

著者

• 田口 常正

  山口大・工

• 倉井 聡

  山口大学大学院理工学研究科

• 倉井 聡

  山口大学工学部

• 小西 将史

  山口大工

• 田邊 智之

  山口大・工

• 小西 将史

  山口大・工

• 小野 基

  山口大・工

• 渡邉 肇之

  山口大・工

• 南場 康成

  山口大・工

• 倉井 聡

  山口大・工

• 甲斐荘 敬司

  ジャパンエナジー精製技術センター

• 横畑 彰人

  ジャパンエナジー精製技術センター

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