InGaN系半導体白色LEDを用いた照明用光源の基礎特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電気学会の論文
• 2000-02-01

著者

• 田口 常正

  山口大学大学院理工学研究科

• 田口 常正

  山口大学 工学部

• 瀬戸本 龍海

  山口大学

• 田村 哲志

  山口大学

• 瀬戸本 龍海

  (株)山陽ハイテック

関連論文

• 直接フリップチップ接合を用いた蛍光体変換型LEDの発光効率の実装密度依存性
• ワイドギャップ化合物半導体の励起子多体効果によるレーザー発振の物理的機構
• CdZnS量子井戸の励起子分子による紫外誘導放出
• 山口大学大学院理工学研究科物質工学専攻田口研究室(研究室訪問)
• セラミック基板上に直接フリップチップ接合された白色LED光源の信頼性評価法
• 第1回白色LEDと固体照明国際会議報告(照明国際会議)
• InGaN系量子井戸LED構造の選択励起下における発行効率
• AlGaN混晶半導体における局在励起子分子
• 169.医療用白色LED光源の画像特性((12)新しい光応用関連分野)
• 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 放射強度分布関数を用いた分離型蛍光式白色発光ダイオード多点光源による直射照明下での照明特性の理論的考察
• LED照明の医療分野への応用(LED照明の実際)
• 高演色性白色LED照明用蛍光体の研究開発動向 (特集1 LED蛍光体の材料および発光特性--高演色性白色LED照明への応用)
• 近紫外発光ダイオｰド(LED)のナノ構造制御による白色LED
• 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 白色LED照明環境特別研究委員会
• S-1.どうなる?どうする! : LED光源の効率(どうなる?どうする!LED照明ソフト&ハード)
• Ca(Eu_La_x)_4Si_3O_赤色蛍光体の開発と3波長形白色LEDへの応用
• CS-3-4 環境にやさしい白色LED照明システム技術(CS-3.環境と光技術,シンポジウムセッション)
• CS-3-4 環境にやさしい白色LED照明システム技術(CS-3.環境と光技術,シンポジウムセッション)
• 白色LEDが一般照明用光源として本格普及するには
• CS-5-2 地球環境にやさしい白色LED照明システム(C-5. (地球)環境と光エレクトロニクス,シンポジウムセッション)
• LED照明の発光原理(LEDの可能性と課題)
• 最新の白色LED照明技術の国際競争力と市場展望
• 白色LED照明技術の展望と市場動向 (特集 身近にある光源の進歩)
• 白色LED照明に関する第1回国際会議開催(今日の課題)
• 近紫外励起高演色白色LED照明デバイスの最新研究動向 (特集1 LEDとディスプレイ)
• 白色LED照明による省エネルギー技術の現状と将来展望
• 新材料部会講演会 白色LEDの最新開発動向と今後の展望
• 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 白色LED照明の医療応用 (特集 白色LED照明の最新技術動向)
• 白色LED照明技術の展望 (特集 白色LED照明の最新技術動向)
• 高効率・高演色性新型白色LED照明の実用化 (特集 高輝度LEDとその応用)
• 白色LED光源の医療応用--高効率・高演色性白色LEDを用いた医療用光源の開発
• SB-5-4 照明用高効率白色 LED ランプと電源回路の現状と技術動向
• 129. 高効率・高演色性白色 LED を用いた医療用光源の開発
• 141.高光度白色LED光源を用いたバックライト式照明装置の開発と評価((9)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 140.新しい白色蛍光体を用いた高演色白色LEDの特性評価((9)光関連デバイス・ディスプレイ)
• C-6-9 RF-MBE法により成長したInGaN薄膜中のInの熱的挙動(C-6.電子部品・材料)
• 21aYC-2 InAlGaN 四元混晶薄膜の結晶性と発光特性
• RF-MBE法によるInAlGaN四元混晶薄膜の結晶成長(AlN結晶成長シンポジウム)
• 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
• Gan系紫外LEDの高効率発光機構
• 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 147. 高密度白色・有色LED照明の視覚空間における光源配置の最適化((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• LED照明の技術動向 (特集 LED照明の最近の動向)
• 137. LED 照明に最適な多面光源と放射輝度分布
• 白色LED光源を用いた省エネルギー型太陽電池式街灯の開発と照度特性の評価
• 多点光源照度計算法による白色LED照明光源の特性評価
• 21世紀の照明光源--白色発光LED (特集 21世紀を照らすLED)
• 電球,蛍光ランプに代わる白色発光ダイオード (特集 光エレクトロニクスの現状と将来)
• 21世紀のあかりプロジェクトと白色発光ダイオード光源の開発^*
• LED光源
• 340nm ZnS 紫外発光ダイオード
• 発光ダイオードの開発動向 (特集 エネルギー変換材料の技術動向) -- (光・電変換材料)
• LED照明の最新技術と展望 (特集 高輝度と省エネルギーが照明に革命をもたらす LED照明技術の最新動向(Part2))
• 150. 白色LEDを用いた省エネ型太陽電池式街灯の開発((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 140. 白色LEDを用いた太陽発電照明システムの開発((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• InGaN系半導体白色LEDを用いた照明用光源の基礎特性
• 解説 青色LEDを光源にしたアルミホイールリーク検出機の開発
• InGaN系半導体白色LEDを用いた照明用光源の基礎特性
• 123. InGaN白色LEDの照明への応用((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 146. 紫外LED励起によるZnS系蛍光体を用いた白色光源の特性評価((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• S-1. 総論 : LEDs が拓く照明技術、産業、教育の変革

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク