27aA5 PC-LEC法による低転位InP単結晶の育成(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本結晶成長学会の論文
- 1993-07-10
著者
-
小廣 健司
(株)ジャパンエナジー中央研究所
-
小廣 健司
(株)日鉱共石総合研究所電子材料部品研究所
-
太田 優
(株)日鉱共石総合研究所電子材料部品研究所
-
小田 修
(株)日鉱共石総合研究所電子材料部品研究所
-
小田 修
名古屋工業大学
関連論文
- 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長 : 化合物(21世紀を担うバルク単結晶)
- 24aB8 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の育成(バルク成長VII)
- NdGaO_3基板上へのGaNハイドライド気相エピタキシー : バルク成長シンポジウム
- 最近のInPの開発動向(バルク成長分科会特集 : 結晶の完全性を目指して)
- 「21世紀を担うバルク単結晶」特集にあたって
- 青色, 緑色発光素子用基板の現状について
- 大型CdTe単結晶の育成と評価(バルク結晶の成長(II))
- InP単結晶の半絶縁性化
- 27aA5 PC-LEC法による低転位InP単結晶の育成(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- 2010年日本結晶成長学会賞受賞者紹介
- II-VI族化合物半導体材料の最新動向 : 化合物(21世紀を担うバルク単結晶)
- III-V族化合物半導体材料の現状と将来
- 竹田美和会長が山崎貞一賞を受賞(学界ニュース)