ZnTe_xSe_<1-x> 混晶薄膜の光学特性と緑色発光ダイオードへの応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
分子線エピタキシー法により組成比xの異なるZnTe_xSe_<1-x>混晶薄膜を作製し,その光学特性の組成比依存性をフォトルミネッセンス分光法により評価した。組成比x=0.09の試料において,Te原子の等電子トラップに起因した発光が確認された。しかしながら,その組成比xを増加させるに伴い,等電子トラップによる影響が弱くなる傾向が見られた。また,このZnTeSe混晶を活性層に用いたZnTeSe/ZnSeダブルヘテロ構造の発光ダイオードを作製し,低温において電流注入による動作で青緑色(中心波長480nm)発光が観測された。
- 山口大学の論文
著者
-
山田 陽一
電気電子工学科
-
田口 常正
電気電子工学科
-
千田 和彦
大学院電気電子工学
-
岸野 雅樹
大学院物質工学
-
重松 弘
大学院電気電子工学
-
藤本 正克
大学院物質工学
-
藤本 正克
山口県産業技術センター
-
山田 陽一
山口大 工
関連論文
- 山口県産業技術センターにおけるネットワークシステムの構築
- 17pRE-16 立方晶CdS薄膜の自由励起子発光とそのダイナミクス
- ワイドギャップ化合物半導体の励起子多体効果によるレーザー発振の物理的機構
- 126. CdZnS半導体量子井戸の励起子分子による紫外発光((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 22aB8 減圧有機金属気相成長法によるMg_XZn_S混晶薄膜の成長(気相成長II)
- Cd_xZn_S-ZnS 量子井戸構造における励起子分子の関与したレーザ発振機構
- InGaN系量子井戸LED構造の選択励起下における発行効率
- AlGaN混晶半導体における局在励起子分子
- 近紫外発光ダイオード(LED)のナノ構造制御による白色LED
- 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- In_xGa_1-xN/GaN 多重量子井戸構造におけるストークスシフトの温度依存性
- Cd_xZn_1-xS/ZnS/Mg_yZn_1-yS 分離閉じ込めヘテロ構造における励起子分子の発光特性
- II-VI族半導体の励起子系光物性 : ZnS系半導体からの紫外発光
- 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長 : 化合物(21世紀を担うバルク単結晶)
- GaN薄膜の光学特性におけるSi添加効果
- 24aB8 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の育成(バルク成長VII)
- 22aB9 高品質ZnS薄膜のホモエピタキシャル成長(気相成長II)
- 22aB5 RF-MBE法によるGaN薄膜のホモエピタキシャル成長および特性評価(気相成長I)
- RF-MBE法によるGaN薄膜のヘテロおよびホモエピタキシャル成長
- ZnTe_xSe_ 混晶薄膜の光学特性と緑色発光ダイオードへの応用
- RF-MBE 成長 GaN 薄膜の成長初期過程と降温過程
- Gan系紫外LEDの高効率発光機構
- MBE 法による Cd_xZn_Se 混晶薄膜の作成と光学的評価
- InGaN SQW 青色 LED の再結合発光におけるホットエレクトロン効果
- 発泡ピラミッド吸収体を用いた簡易電波暗室のGHz帯対応化--サイトVSWRとタイムドメイン評価の相関性について (環境電磁工学)
- InGaN 青色 LED の連続発光およびパルス発光特性
- CdS 系量子井戸構造における室温励起子発光
- RF-MBE 法による GaN 薄膜の成長と光学的評価
- 魚類乾燥予測モデルの構成
- 魚類乾燥プロセスにおける乾燥制御の一方法
- ZnS 薄膜における励起子発光特性の成長膜厚依存性
- ループ型光分岐回路を用いた複合センサの基礎的検討
- ZnSe 単結晶ウエハの鏡面研磨
- 銀イオン拡散型光分波器の作製に関する基礎的研究
- 銀イオン拡散型光導波路の作製に関する基礎的研究
- MOCVD 成長 In_xGa_N 混晶薄膜のフォトルミネッセンス特性
- 再録 ループ型光分岐回路を用いた複合センサの基礎的検討
- 酸化タングステンを用いた光学式水素ガスセンサの基礎的検討
- 光導波路を用いた複合環境センサの開発(第2報)
- 光導波路を用いた複合環境センサの開発(第1報)
- InGaN青色LEDの発光機構
- 高品質 ZnS エピタキシャル薄膜における励起子発光の温度依存性
- マイクロ波 N プラズマの励起種を用いた ZnSe : N の成長とフォトルミネッセンス
- マイクロ波窒素プラズマ励起種を用いた GaN 薄膜の成長と室温励起子発光
- 発泡ピラミッド吸収体を用いた簡易電波暗室のサイトVSWR測定
- 発泡ピラミッド吸収体を用いた簡易電波暗室のGHz帯対応化 : サイトVSWRとタイムドメイン評価の相関性について(EMC,一般)
- CdZnSe 歪量子井戸構造における誘導放出光の一軸性応力効果
- 再録 発泡ピラミッド吸収体を用いた簡易電波暗室のサイトVSWR測定
- 発泡ピラミッド吸収体を用いた簡易電波暗室のサイトVSWR測定
- 簡易電波暗室における Site VSWR 測定結果と擬似被試験機器を用いたEMI測定結果との比較
- B-4-9 簡易電波暗室におけるGHz帯EMI測定結果とSVSWRとの関係(B-4.環境電磁工学)