マイクロ波窒素プラズマ励起種を用いた GaN 薄膜の成長と室温励起子発光
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概要
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Gallium Nitride (GaN) films with a hexagonal structure were grown on aluminum nitride (AIN) substrates in gallium and nitrogen plasma exited by microwave power. The photoluminescence properties of the GaN films were studied at various temperatures as well as various excitation densities. A strong ultraviolet emission, which consisted of two components, was observed even at room temperature. On the basis of the spectral position as well as its temporal behavior, the origin of the two components was attributed to the radiative recombination of free and localized excitons.
- 山口大学の論文
著者
-
佐々木 史雄
電子技術総合研究所
-
小林 俊介
電子技術総合研究所
-
山田 陽一
電気電子工学科
-
田口 常正
電気電子工学科
-
谷 俊朗
電子技術総合研究所
-
谷俊 朗
共生科学技術研究院
-
谷口 人文
トクヤマ 藤沢研
-
岡田 清彦
大学院電気電子工学
-
甲斐 綾子
Yamaguchi Univ. Yamaguchi Jpn
-
甲斐 綾子
電気電子工学科
-
谷口 人文
株式会社トクヤマ・藤沢研究所
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