ZnSe 単結晶ウエハの鏡面研磨
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概要
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ZnSeに代表されるII-VI族系化合物半導体は, 青色発光素子としての応用が考えられているが, 良質のZnSe単結晶基板が無いこと, およびZnSe基板のウェハ加工技術が十分に確立されていないことにより, GaAsを基板としたヘテロエピタキシャル構造によるデバイス化が試みられている。しかし, 格子不整合および熱膨張係数差が起因した結晶欠陥の導入により, デバイスの寿命が短いという問題がある。長寿命化を含めたデバイス特性向上には良質のZnSe単結晶ウェハが必須であり, モリブデン封管式VGF法により作製した低抵抗ZnSe単結晶の研磨加工およびケミカルエッチングを試み, 無歪みかつ表面粗さ1nm以下のウェハを得ることに成功した。
- 山口大学の論文
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