青緑色光半導体レーザー : 実用化への期待
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1995-11-10
著者
関連論文
- Alg_3薄膜のキャリア伝導
- InGaN系半導体デバイスの発光機構(半導体エレクトロニクス)
- InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- Zn(S,Se)-GaAsヘテロエピタキシャル成長と積層構造の作製 : エピタキシーI
- 原子価不整合系の半導体へテロ構造におけるバンド不連続量の制御
- ZuSe/GaAsおよびGaAs/ZuSe有機金属気相成長と電気的特性の評価
- ZnMgSSeのMOMBE成長と評価
- 発光ダイオードの開発状況と産業界への応用
- 青色半導体レーザの現状と将来
- 理工系離れ考
- 青緑色光半導体レーザー : 実用化への期待
- II-V and Sulfide Selenide Crystals(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- II-VI族半導体ヘテロ構造の設計と作製